[블록체인투데이 김재민 기자] 삼성전자의 3나노미터(nm) 게이트올어라운드(GAA) 1세대(SF3E) 공정 기반 칩이 암호화폐 채굴기에 탑재된 것이 확인됐다.
19일 지디넷코리아는 반도체 전문 리서치기관 '테크인사이츠' 자료를 인용해 중국의 비트코인 채굴기 제조사 '마이크로BT(MicroBT)'가 지난 5월 공개한 '왓츠마이너(Whatsminer) M56S++'에 3나노미터 공정이 적용된 최초의 반도체가 상용화되고 있다고 보도했다.
테크인사이츠는 이번에 발간한 보고서를 통해 "중국 시스템반도체 업체의 최신 칩으로부터 삼성전자의 3nm GAA 상용화 사례를 첫 확인했다"고 전했다.
GAA 공정은 트랜지스터의 채널을 4면으로 둘러싸 전류의 흐름을 세밀하게 조정하는 특징을 가졌다.
앞서 삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 3nm GAA 공정을 양산한다고 밝혔지만 이 공정이 적용된 제품과 고객사에 대해서는 공개하지 않았다.
올해 초 삼성전자는 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "3nm GAA 공정을 안정적인 수율로 양산하고 있다"라며 "2세대 공정 역시 1세대 경험을 토대로 차질 없이 개발 중"이라고 설명했다.
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